Sensofar白光干涉儀在微電子檢測(cè)應(yīng)用
在微電子和半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,對(duì)元件表面形貌的量化控制是工藝流程中的一環(huán)。Sensofar S lynx輪廓儀因其非接觸、高分辨率的特點(diǎn),在該領(lǐng)域有相應(yīng)的應(yīng)用空間。
硅晶圓與薄膜測(cè)量:可用于測(cè)量硅晶圓表面的納米級(jí)粗糙度(Sa),評(píng)估拋光工藝質(zhì)量。通過臺(tái)階高度測(cè)量功能,量化化學(xué)氣相沉積(CVD)或物理氣相沉積(PVD)等工藝形成的薄膜厚度。
光刻膠圖形表征:在光刻工藝后,可用于測(cè)量光刻膠線條的寬度(CD)、高度以及側(cè)壁角度。三維形貌數(shù)據(jù)可為光刻工藝的調(diào)整提供參考信息。
MEMS器件形貌分析:對(duì)微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)器件,如微彈簧、懸臂梁、齒輪等的三維形狀、運(yùn)動(dòng)引起的形變、釋放孔深度等進(jìn)行測(cè)量。
CMP工藝監(jiān)測(cè):在化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)工藝后,檢查晶圓表面的平坦度變化和碟形坑、侵蝕等缺陷的深度。
技術(shù)優(yōu)勢(shì)體現(xiàn)在測(cè)量光刻膠圖形或薄膜臺(tái)階時(shí),S lynx的VSI模式能提供亞納米級(jí)的垂直分辨率,有助于精確測(cè)量納米級(jí)的膜厚變化。其非接觸式測(cè)量避免了探針式輪廓儀可能對(duì)脆弱結(jié)構(gòu)(如光刻膠)造成的損傷。對(duì)于具有高深寬比或陡峭側(cè)壁的MEMS結(jié)構(gòu),共聚焦模式能夠提供有效的形貌信息。測(cè)量反射率差異很大的材料(如金屬線條 on 介質(zhì)層)時(shí),可能需要調(diào)整光照強(qiáng)度或使用中性密度濾光片來優(yōu)化信號(hào)。對(duì)于非常光滑的晶圓表面,確保樣品臺(tái)清潔和避免振動(dòng)對(duì)獲得穩(wěn)定的干涉條紋有影響。Sensofar S lynx輪廓儀為微電子領(lǐng)域的表面形貌監(jiān)測(cè)提供了一種測(cè)量手段。其在薄膜厚度、粗糙度、三維結(jié)構(gòu)尺寸等方面的測(cè)量能力,可用于支持工藝開發(fā)和質(zhì)量控制流程。
Sensofar白光干涉儀在微電子檢測(cè)應(yīng)用